关于朗科NV5000和NV7000的分析
朗科近期发布了NV5000,NV7000两款PCIE4.0SSD，并且上架京东。
本想买来拆解测试，奈何因为疫情根本到不了货，只能推测一下用料了。
首先分析NV5000。据TBW分析应该是原厂颗粒，白片黑片应该不敢给这么高的TBW。颗粒最低也应该是1XX层堆栈的，没有实物不好推测，但据朗科一贯的行为，推测颗粒又是第三方封装。（注意，第三方封装有可能是原厂颗粒，不一定是降级片）
主控大概率是英韧IG5220,无DRAM设计。因为该主控参数与此SSD最为接近。
之所以推测不是5221，是因为随机读取为600K IOPS并未标到主控标称最大值800K IOPS。
IG5220支持4CE，要达到标称5000MB/S的速度，闪存带宽至少是1250MT/S的。
长存Xtacking3.0 128层堆栈的颗粒是1600MT/S，可作为基准参考，据此推测至少为1XX层堆栈的闪存颗粒。
我先后看了群联，慧荣，得一微，联芸，英韧官网得出以上结论。但联芸和群联说发布了，官网上却找不到信息，我只得作罢。而得一微的GEN4主控和慧荣SM2267/2267XT主控速度不到4000M/S，首先排除。剩下的就是英韧IG5236/5221/5220,慧荣SM2264。
Innogrit IG5236
SMI SM2264
Netac NV7000
据此三个参数表分析，主控大概率是SM2264，但硬盘应该仍然是HMB无DRAM缓存的盘，因随读随写均未达到慧荣官方的标称速度。
另，IG5220支持4CE，SM2264支持8CE，一般4CE的闪存颗粒至少是4Die封装，8CE的闪存颗粒至少是8Die封装。CE，就是通道，应好理解CE数加倍，速度加倍。Die数，就是单科颗粒中封装的小晶片数量。应好理解Die数翻倍，容量翻倍。且NV5000和NV7000使用颗粒可能相同，因为这样可以减少企业采购的负担。
理论最大传输速度=CE数与闪存最大带宽的乘积
最后附上SSD的官方图，真好看~~
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